（2017）京行终3545号

裁判日期: 2017-10-25

公开日期: 2017-12-06

案件名称

国家知识产权局专利复审委员会与友达光电股份有限公司二审行政判决书

法院

北京市高级人民法院

所属地区

北京市

案件类型

行政案件

审理程序

二审

当事人

国家知识产权局专利复审委员会,友达光电股份有限公司

案由

法律依据

《中华人民共和国行政诉讼法》：第八十九条

全文

北京市高级人民法院行政判决书(2017)京行终3545号上诉人（原审被告）国家知识产权局专利复审委员会，住所地北京市海淀区北四环西路9号银谷大厦10－12层。法定代表人葛树，副主任。委托代理人李晓娜，国家知识产权局专利复审委员会审查员。委托代理人程强，国家知识产权局专利复审委员会审查员。被上诉人（原审原告）友达光电股份有限公司，住所地台湾地区新竹科学工业园区新竹市力行二路一号。法定代表人李焜耀，董事长。委托代理人李岩，北京市立康律师事务所律师。委托代理人梁挥，北京市立康律师事务所律师。上诉人国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）因发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，不服北京知识产权法院(2015)京知行初字第3269号行政判决，向本院提出上诉。本院于2017年7月14日受理后，依法组成合议庭审理了本案。2017年9月6日，上诉人专利复审委员会的委托代理人李晓娜、程强到庭接受了询问。2017年10月17日，被上诉人友达光电股份有限公司（简称友达公司）的委托代理人李岩到庭接受了询问。本案现已审理终结。北京知识产权法院经审理查明：本申请系申请号为200910207942.6号、名称为“像素阵列、聚合物稳定配向液晶显示面板以及光电装置”的发明专利申请，其申请人为友达公司，申请日为2009年11月2日，公开日为2010年5月12日。经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2012年8月21日作出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-11不具备《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款规定的创造性。驳回决定针对的权利要求书的内容如下：“1、一种像素阵列，其特征在于，包括：多条第一扫描线；多条第二扫描线，各该第二扫描线分别位于二相邻的第一扫描线之间；多条数据线，与该些第一扫描线以及该些第二扫描线交错，该些第二扫描线与该些数据线定义出多个子像素区域；多个子像素，配置于该些子像素区域中，各该子像素与其中一条第一扫描线、其中一条第二扫描线以及其中一条数据线电性连接，且各该子像素包括：一第一开关；一第二开关，其中该第一开关以及该第二开关与同一条第一扫描线以及同一条数据线电性连接；一第一像素电极，与该第一开关电性连接；一第二像素电极，与该第二开关电性连接，该第一像素电极与该第二像素电极分别位于该第一扫描线两对侧；以及一第三开关，与该第二扫描线以及该第二像素电极电性连接，该第三开关具有一电容耦合部，该电容耦合部延伸至相邻子像素中的第一像素电极下方并与该相邻像素中的第一像素电极重叠；以及多条共通线，其中该电容耦合部与该相邻子像素中的共通线形成一电压调整电容；一彩色滤光层，覆盖于该些第一扫描线、该些第二扫描线、该些数据线、该些子像素以及该些共通在线；各该子像素还包括：一第一电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第一像素电极电性连接，且该第一电容电极与其中一条共通线形成一第一储存电容；以及一第二电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第二像素电极电性连接，且该第二电容电极与其中一条共通线形成一第二储存电容。2、根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，该些子像素排列成多列，且排列于同一列的子像素与同一条第一扫描线以及同一条第二扫描线电性连接。3、根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，该些子像素排列成多列，第n列子像素中的电容耦合部延伸至第(n+1)列子像素中的第一像素电极下方，且n为正整数，各该第二扫描线位于第n列子像素中的第二像素电极以及第(n+1)列子像素中的第一像素电极之间。4、根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，各该第一开关为一第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管具有一与其中一条第一扫描线电性连接的第一栅极、一与其中一条数据线电性连接的第一源极以及一与该第一像素电极电性连接的第一漏极。5、根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，各该第二开关为一第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管具有一与其中一条第一扫描线电性连接的第二栅极、一与其中一条数据线电性连接的第二源极以及一与该第二像素电极电性连接的第二漏极。6、根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，各该第三开关为一第三薄膜晶体管，该第三薄膜晶体管具有一与其中一条第二扫描线电性连接的第三栅极、一与该第二像素电极电性连接的第三源极以及该电容耦合部。7、根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，各该子像素以及该相邻子像素位于同一行。8、根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，该些第一像素电极以及该些第二像素电极延伸至该些第一扫描线的上方。9、一种聚合物稳定配向液晶显示面板，其特征在于，包括：一第一基板，具有权利要求1所述的像素阵列；一第二基板，配置于该第一基板上方；二聚合物稳定配向层，分别配置于该第一基板与该第二基板上；以及一液晶层，配置于该些聚合物稳定配向层之间。10、根据权利要求9所述的聚合物稳定配向液晶显示面板，其特征在于，还包括二辅助配向层，分别配置于该第一基板与该第一基板对应的聚合物稳定配向层之间以及配置于该第二基板与该第二基板对应的聚合物稳定配向层之间。11、一种光电装置，包括权利要求1所述的像素阵列。”驳回决定引用了三篇对比文件。其中：对比文件1是公开号为CN101504503A，公开日为2009年8月12日的发明专利申请公布说明书。对比文件1公开了一种像素阵列，包括多条第一扫描线SL1，位于第一像素电极ITO1和第二像素电极ITO2之间；多条第二扫描线SL2，各条第二扫描线SL2分别位于二相邻的第一扫描线SL1之间；多条数据线DL，与第一扫描线SL1及第二扫描线SL2交错，该些第二扫描线SL2与该些数据线DL定义出多个子像素区域；以及多个子像素P4，其第三开关TFT3的电性浮置端D3作用为电容耦合。子像素排列成多列，且排列于同一列的子像素与同一条第一扫描线SL1以及同一条第二扫描线SL2电连接；各子像素以及相邻子像素位于同一行；各第二扫描线SL2位于第n列子像素中的第二像素电极以及第（n+1）列子像素中的第一像素电极之间。第一开关元件TFT1为一第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管具有一与其中一条第一扫描线SL1电连接的第一栅极G1、一与其中一条数据线DL电连接的第一源极S1以及一与第一像素电极ITO1电连接的第一漏极D1；第二开关元件TFT2为一第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管具有一与其中一条第一扫描线SL1电连接的第二栅极G2、一与其中一条数据线DL电连接的第二源极S2以及一与第二像素电极ITO2电连接的第二漏极D2；第三开关元件TFT3为一第三薄膜晶体管，第三薄膜晶体管具有一与其中一条第二扫描线SL电连接的第三栅极G3、第三源极S3以及第三漏极D3。对比文件1中还公开了具有上述像素阵列的光电装置和一种聚合物稳定配向液晶显示面板，并具体公开了液晶显示面板包括具有像素阵列的第一基板，配置于第一基板上方的第二基板，分别配置于第一基板和第二基板上的两个聚合物稳定配向层，以及配置于聚合物稳定配向层之间的一个液晶层。对比文件2是公开号为CN101354512A，公开日为2009年1月28日的发明专利申请公布说明书。对比文件2公开了一种液晶显示器。其中，图1-11和图12-20分别公开了两个不同的实施例；图1-11的实施例的技术方案中公开了（参见图7）：该液晶显示器的每个像素包括第一子像素电极Pa、第二子像素电极Pb、第一TFTT1、第二TFTT2和第三TFTT3，第一TFTT1和第二TFTT2电性连接到同一第i条栅极线GLi和同一第j条数据线DLj，第一子像素电极Pa与第一TFTT1电性连接，第二子像素电极Pb与第二TFTT2电性连接，第三开关TFTT3的栅极G3与第i+2条栅极线GLi＋2连接且源极S3与第二子像素电极Pb电性连接，公共电压Vcom可以被施加到存储线SLi、SLi+1和SLi+2（参见说明书第13页第4段），即存储线为共通线，第三开关TFTT3的漏极D3与布置在漏极D3下的第i+1条存储线SLi+1形成充电共享电容，当栅极导通电压被施加到与第三TFTT3相连的栅极线时，第二子像素电极Pb的数据电压通过第三TFTT3与充电共享电容共享，由于充电共享电容的存在，第二子像素电极Pb的数据电压降低，且第一子像素电极Pa的数据电压升高（参见说明书第12页第3段，第16页最后一段）。图1-11所示的实施例还公开了（参见说明书第11页第4段，图5）电荷共享电容Ccs包括第三TFTT3的漏极、布置在下部显示面板上的存储线、以及位于漏极和存储线之间的绝缘物质。说明书第11页第4段记载：“在示例性实施例中，可以通过将第三TFTT3的漏极与第一TFTT1的第一子像素电极重叠（Overlapping）来形成额外的共享电容。额外的共享电容升高了连接到第一TFTT1的第一子像素电极的数据电压。”在图12-20的实施例中，第三开关TFTT3的漏极D3从第三栅极G3的上部经由第i条存储线SLi的上部延伸到第一子像素电极Pa的下部，第一电荷共享电容Ccs1形成在第三漏极D3和第i条存储线SLi重叠的区域P。第二电荷共享电容Ccs2形成在第三漏极D3和第一子像素电极Pa重叠的区域Q。对比文件3是公开号为CN1591138A，公开日为2005年3月9日的发明专利申请公布说明书。对比文件3公开了一种液晶显示面板的阵列基板，其是将彩色滤光薄膜整合于薄膜晶体管阵列基板上，其中在薄膜晶体管阵列基板上形成扫描配线、资料配线、共享配线1102、薄膜晶体管的栅极、源极和漏极之后，在像素区域上形成彩色滤光薄膜（参见说明书第20页最后一段至第22页第3段，第27页第4段至第28页第3段，以及图3A－3D，11A－11D）。对比文件3中同时还公开了用于保持像素电极电压的存储电容（参见说明书第27页第4段，以及图11D）：每个像素电极218与储存电容器连接，储存电容器包括共享配线1102（即共通线）、位于彩色滤光层下方的第二储存电容电极1106，第二储存电容电极1106与共享配线1102形成储存电容器，像素电极218与第二储存电容电极1106电性连接。友达公司对上述驳回决定不服，于2012年12月5日向专利复审委员会提出复审请求，同时将本申请权利要求1修改为：“1、一种像素阵列，其特征在于，包括：多条第一扫描线，位于第一像素电极和第二像素电极之间；多条第二扫描线，各该第二扫描线分别位于二相邻的第一扫描线之间；多条数据线，与该些第一扫描线以及该些第二扫描线交错，该些第二扫描线与该些数据线定义出多个子像素区域；多个子像素，配置于该些子像素区域中，各该子像素与其中一条第一扫描线、其中一条第二扫描线以及其中一条数据线电性连接，且各该子像素包括：一第一开关；一第二开关，其中该第一开关以及该第二开关与同一条第一扫描线以及同一条数据线电性连接；一第一像素电极，与该第一开关电性连接；一第二像素电极，与该第二开关电性连接，该第一像素电极与该第二像素电极分别位于该第一扫描线两对侧；以及一第三开关，与该第二扫描线以及该第二像素电极电性连接，该第三开关具有一电容耦合部，该电容耦合部延伸至相邻子像素中的第一像素电极下方并与该相邻像素中的第一像素电极重叠；以及多条共通线，其中该电容耦合部与该相邻子像素中的共通线形成一电压调整电容；一彩色滤光层，覆盖于该些第一扫描线、该些第二扫描线、该些数据线、该些子像素、所述电容耦合部以及该些共通线；各该子像素还包括：一第一电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第一像素电极电性连接，且该第一电容电极与其中一条共通线形成一第一储存电容；以及一第二电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第二像素电极电性连接，且该第二电容电极与其中一条共通线形成一第二储存电容。”经形式审查合格，专利复审委员会于2012年12月26日受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。随后，专利复审委员会成立合议组对该复审请求进行审理。合议组于2014年5月9日向友达公司发出复审通知书。友达公司于2014年6月13日提交了意见陈述书，同时将权利要求1修改为：“1、一种像素阵列，其特征在于，包括：多条第一扫描线，位于第一像素电极和第二像素电极之间；多条第二扫描线，各该第二扫描线分别位于二相邻的第一扫描线之间；多条数据线，与该些第一扫描线以及该些第二扫描线交错，该些第二扫描线与该些数据线定义出多个子像素区域；多个子像素，配置于该些子像素区域中，各该子像素与其中一条第一扫描线、其中一条第二扫描线以及其中一条数据线电性连接，且各该子像素包括：一第一开关；一第二开关，其中该第一开关以及该第二开关与同一条第一扫描线以及同一条数据线电性连接；一第一像素电极，与该第一开关电性连接；一第二像素电极，与该第二开关电性连接，该第一像素电极与该第二像素电极分别位于该第一扫描线两对侧；以及一第三开关，与该第二扫描线以及该第二像素电极电性连接，该第三开关具有一电容耦合部，该电容耦合部延伸至下一列子像素中的第一像素电极下方并与其重叠；以及多条共通线，其中该电容耦合部与该下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容；一彩色滤光层，覆盖于该些第一扫描线、该些第二扫描线、该些数据线、该些子像素、所述电容耦合部以及该些共通线；各该子像素还包括：一第一电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第一像素电极电性连接，且该第一电容电极与其中一条共通线形成一第一储存电容；以及一第二电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第二像素电极电性连接，且该第二电容电极与其中一条共通线形成一第二储存电容。”2014年12月17日，专利复审委员会经审查作出第79246号复审决定（简称被诉决定）。专利复审委员会在被诉决定中认定：一、审查文本的认定在复审程序中，友达公司于2014年6月13日提交了权利要求书的最终全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合《中华人民共和国专利法》第三十三条及《中华人民共和国专利法实施细则》第六十一条第一款的规定。本决定所依据的文本为：友达公司于2014年6月13日提交的权利要求第1－11项，于申请日2009年11月2日提交的说明书第1-60段、说明书附图1－附图5、摘要附图，于2010年1月14日提交的说明书摘要。二、关于《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款1、本申请权利要求1要求保护一种像素阵列。对比文件1公开了一种与权利要求1同类型的像素阵列，其中第三开关TFT3的电性浮置端D3作用为电容耦合，相当于本申请的电容耦合部，即对比文件1中电性浮置端D3是与本列的子像素中的共通线形成一电压调整电容，由此使得第一像素电极ITO1和第二像素电极ITO2之间产生电压差异。由此可见，对比文件1公开了本申请权利要求1的大部分技术特征，且技术领域相同，权利要求1与对比文件1的区别在于：（1）第三开关与第二像素电极电性连接，且其中电容耦合部延伸至下一列子像素中的第一像素电极下方并与其重叠，而且还与该下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容；（2）一彩色滤光层，覆盖于该些第一扫描线、该些第二扫描线、该些数据线、该些子像素、所述电容耦合部以及该些共通线；（3）各该子像素还包括一第一电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第一像素电极电性连接，且该第一电容电极与其中一条共通线形成一第一储存电容；以及一第二电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第二像素电极电性连接，且该第二电容电极与其中一条共通线形成一第二储存电容。且上述区别特征分别提供了该像素阵列的三个独立的功能，基于上述区别技术特征，权利要求1的技术方案实际所要解决的技术问题是：（1）利用电容耦合部与该下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容，且电容耦合部也与下一列子像素中的第一像素电极形成电容的方式，来实现同一子像素中第一像素电极和第二像素电极的电压不同；（2）在将彩色滤光层整合于阵列基板上以实现彩色显示时不会带来电压调整电容在制作上的困难；（3）保持各子像素中第一像素电极和第二像素电极的电压。对于区别技术特征（1），对比文件2采用了与区别技术特征（1）相同的电容耦合部与该下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容、且电容耦合部也与下一列子像素中的第一像素电极形成电容的方式来实现第一与第二像素电极电压不同。对比文件2的图1-11所示的实施例中，第三开关TFTT3的漏极D3对应于本申请中第三开关的电容耦合部，没有公开漏极D3延伸到下一列像素中的第一子像素电极下方并与之重叠形成电容。在图12-20所示的实施例中，漏极D3是延伸到本列像素的子像素电极下方，不是延伸到下一列像素中的第一子像素电极下方。在图1-11的实施例中，电荷共享电容Ccs降低了连接到第二TFTT2的第二子像素电极的数据电压。在示例性实施例中，可以通过将第三TFTT3的漏极与第一TFTT1的第一子像素电极重叠（overlapping）来形成额外的电荷共享电容。额外的电荷共享电容升高了连接到第一TFTT1的第一子像素电极的数据电压。对于图1-11的实施例，其中只形成了一个电荷共享电容，对本领域技术人员而言，为形成上述额外的充电共享电容，第三开关TFTT3的漏极D3会继续延伸到下一列像素中的第一子像素电极下方并与之重叠，即本领域技术人员基于对比文件2说明书的上述内容和附图1-11的实施例可以确定，对比文件2实质上公开了电容耦合部与下一列子像素中的共通线形成充电共享电容并且延伸至下一列子像素中的第一像素电极下方形成额外的电荷共享电容的技术方案。可见，利用电容耦合部与下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容，且电容耦合部也与下一列子像素中的第一像素电极形成电容的方式已被对比文件2公开，且其在对比文件2所起作用与其在本申请中所起的作用相同，均为实现第一与第二像素电极电压不同以提高显示质量。因此，对比文件2给出了将第三开关TFT的源极与第二像素电极电性连接，第三开关TFT的作为电容耦合部的漏极与下一列子像素中的共通线形成充电共享电容且漏极延伸至下一列像素中的第一像素电极下方并与第一像素电极重叠形成额外的充电共享电容，以使得子像素中两个像素电极电压不同，从而获得良好显示质量的启示。对比文件1和2同属于液晶像素阵列的技术领域，本领域技术人员在对比文件1的基础上，基于提高显示质量的常规需求，为了使对比文件1的子像素中的第一像素电极和第二像素电极具有不同的数据电压，很容易想到采用对比文件2中的第三开关TFTT3的连接方式代替对比文件1中的第三开关元件TFTT3的连接方式，即将第三开关元件TFT3的源极S3与第二像素电极ITO2电性连接，第三开关元件TFT3的漏极D3与下一列子像素中的共通线形成充电共享电容，即电压调整电容，同时漏极D3还延伸到下一列子像素中的第一像素电极下方并与该下一列子像素中的第一像素电极重叠形成额外的电容。区别技术特征（2）将彩色滤光层整合于阵列基板上，也被现有技术公开，对比文件3公开了一种液晶显示面板的阵列基板，其彩色滤光薄膜覆盖扫描配线、资料配线（即数据线）、子像素、薄膜晶体管的栅极、源极和漏极、以及共享配线。对比文件1和3属于相同的技术领域，本领域技术人员为了在对比文件1的阵列基板上整合彩色滤光薄膜以实现彩色显示，很容易想到采取对比文件3中的上述方式，使得彩色滤光薄膜覆盖对比文件1中的第一扫描线、第二扫描线、数据线、子像素、共通线、薄膜晶体管的栅极、源极和漏极。如上所述，由于本领域技术人员在对比文件2的启示下，将对比文件1的第三开关元件TFT3的漏极D3连接方式进行替换后，第三开关元件TFT3的漏极D3即为电容耦合部，而彩色滤光薄膜覆盖薄膜晶体管的漏极，因此彩色滤光薄膜也即覆盖电容耦合部，这显然也会实现彩色滤光薄膜的制作不会导致电压调整电容在制作上的困难的效果。关于区别技术特征（3），对比文件3中同时还公开了用于保持像素电极电压的存储电容，其中第二储存电容电极对应于本申请子像素中的电容电极。在对比文件3中，由于像素电极与储存电容器连接，因此可以保持像素电极的电压。可见，对比文件3给出了使用共通线和电容电极形成存储电容、以保持像素电极电压的技术启示。基于对比文件3的启示，本领域技术人员在对比文件1的基础上，为了保持对比文件1中各子像素中第一像素电极和第二像素电极上的电压，很容易想到针对每个像素电极分别设置一储存电容器，即设置与第一像素电极电性连接的位于彩色滤光层下方的第一电容电极，第一电容电极与一条共通线形成第一储存电容，并设置与第二像素电极电性连接的位于彩色滤光层下方的第二电容电极，第二电容电极与一条共同线形成第二储存电容。综上分析，本申请权利要求1技术方案的全部技术特征分别被同为本领域的对比文件1、2、3公开，且这些特征在对比文件中所起的作用与本申请相同，属于已知结构和其效果的简单叠加，本领域技术人员在解决同样问题时，容易想到将这些现有技术组合起来得到权利要求1所述方案。因此权利要求1相对于现有技术不具备创造性，不符合《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款的规定。友达公司认为，对比文件2的图13中，第三开关T3的漏极D3实际上是与同一像素的第一像素电极Pa重叠，并非如本申请中的“该电容耦合部延伸至下一列子像素中的第一像素电极下方并与其重叠”，进一步，对比文件2中第三开关T3的漏极D3也没有与下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容。对此，专利复审委员会认为，如上所述，对比文件2已经公开了区别技术特征（1），而且即使不考虑形成额外的电荷共享电容，仅参考图1-11的实施例的形成一个充电共享电容的技术方案所给出的技术启示来对对比文件1的技术方案作出改进，即将对比文件1中的第三开关元件TFT3的源极S3与第二像素电极ITO2电性连接，第三开关元件TFT3的漏极D3与下一列子像素中的共通线形成充电共享电容。此时，由于对比文件1中共通线分布于第一像素电极ITO1和第二像素电极ITO2的下方（参见对比文件1说明书第9页第2段，图5D），因而在第三开关元件TFT3的漏极D3与下一列子像素中的第一像素电极ITO1下方的共通线形成充电共享电容的情况下，第三开关元件TFT3的漏极D3也必然会延伸至下一列子像素中的第一像素电极的下方并与其重叠形成电容。因此，友达公司的意见不成立，专利复审委员会对友达公司认为本申请具备创造性的观点不予支持。2、权利要求2、7的附加特征被对比文件1公开，因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求2、7也不符合《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款有关创造性的规定。3、权利要求3对权利要求1做了进一步限定，在对比文件1公开的内容基础上，如评述权利要求1不具备创造性的意见所述，本领域技术人员基于对比文件2的启示，很容易想到将本列子像素，即第n列子像素中的第三开关元件的漏极（也即电容耦合部）延伸至相邻子像素，即第（n+1）列子像素中的第一像素电极下方。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求3也不符合《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款有关创造性的规定。4、权利要求4、5的附加特征被对比文件1公开，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求4、5也不符合《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款有关创造性的规定。5、权利要求6对权利要求1做了进一步限定，在对比文件1公开的内容的基础上，如评述权利要求1不具备创造性的意见所述，本领域技术人员基于对比文件2的启示，很容易想到将第三开关元件TFT3的源极S3与第二像素电极电性连接，而将第三漏极D3作为电容耦合部。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求6也不符合《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款有关创造性的规定。6、权利要求8对权利要求1做了进一步限定，然而在液晶显示领域中，将像素电极设置为延伸到扫描线上方以形成存储电容属于常用的技术手段，因此本领域技术人员为了形成存储电容，很容易想到将对比文件1中的第一像素电极以及第二像素电极延伸至第一扫描线上方。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求8也不符合《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款有关创造性的规定。7、权利要求9要求保护一种聚合物稳定配向液晶显示面板，除了权利要求1所述的像素阵列之外，权利要求9中的其余特征均被对比文件1公开。如前面意见1所述，权利要求1的像素阵列不具备创造性，因此具有权利要求1所述的像素阵列的聚合物稳定配向液晶显示面板也不具备创造性，不符合《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款的规定。8、权利要求10对权利要求9做了进一步限定，然而在液晶显示领域中，在第一、第二基板与相应的聚合物稳定配向层之间分别设置辅助配向层以提高配向能力属于公知常识。当其引用的权利要求9不具备创造性时，权利要求10也不具备《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款规定的创造性。9、权利要求11要求保护一种光电装置，其包括权利要求1中所述的像素阵列，如前面意见1所述，权利要求1的像素阵列不具备创造性，因此具有权利要求1所述的像素阵列的光电装置也不具备创造性，不符合《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款的规定。综上，专利复审委员会决定：维持国家知识产权局于2012年8月21日对本申请作出的驳回决定。友达公司不服专利复审委员会作出的被诉决定并提起诉讼，请求撤销被诉决定。在一审诉讼中，专利复审委员会认可对比文件2的附图未显示D3延伸至下一列子像素，但认为本领域技术人员根据说明书第11页第4段的文字记载结合附图能够确认公开了这一特征，并主张友达公司自答复第二次审查意见通知书起就已认可对比文件2公开了第三开关的电容耦合部延伸至相邻子像素中的第一像素电极下方并与该相邻子像素中的第一像素电极重叠，直至答复复审通知书时将“相邻子像素”修改为“下一列子像素”，才对对比文件2公开了这一区别特征提出异议。友达公司认可被诉决定认定的三个区别特征，对被诉决定关于从属权利要求2-7的评述无异议，并主张其在复审阶段重新提出了区别特征，专利复审委员会应对本申请和对比文件客观记载的技术方案进行比对。此外，专利复审委员会还提交了公开号为CN101030588A、CN101470308A、CN1912724A、CN101349848A的发明专利申请公布说明书，用以佐证本申请权利要求8的附加技术特征属于公知常识；提交了公开号为CN101364010A、CN101187762A、CN1828394A的发明专利申请公布说明书，用以佐证本申请权利要求10的附加技术特征属于公知常识。北京知识产权法院认为，本申请权利要求1相对于对比文件1具有三个区别技术特征，对比文件2未公开区别技术特征（1），专利复审委员会在错误认定对比文件2公开内容的基础上，仅以对比文件1、2、3的组合认定本申请权利要求1不具备创造性，依据不足。基于同样的理由，专利复审委员会对本申请权利要求9、11进行的创造性判断亦缺乏依据。在对其引用的权利要求的创造性判断缺乏依据的情况下，专利复审委员会对本申请权利要求2-7、8、10进行的创造性判断亦缺乏依据。综上所述，被诉决定主要证据不足，适用法律错误，应予撤销。北京知识产权法院依据《中华人民共和国行政诉讼法》第七十条第一项、第二项之规定，判决：一、撤销被诉决定；二、专利复审委员会重新作出复审请求审查决定。专利复审委员会不服原审判决并向本院提起上诉，请求撤销原审判决并维持被诉决定。专利复审委员会的主要上诉理由是：本申请权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征（1）已经被对比文件2公开，故本申请不具有创造性。友达公司服从原审判决。本院经审理查明，原审法院查明事实清楚，证据采信得当，且有本申请文本、被诉决定、对比文件及当事人陈述、笔录等证据在案佐证，证据充分，本院对原审法院查明的事实予以确认。本院认为：《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款规定：“创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。”所谓实质性特点是指对本领域技术人员来说，该发明或者实用新型相对于现有技术是非显而易见的，所谓进步是指该发明或者实用新型与现有技术相比能够产生有益的技术效果。发明所实际解决技术问题的确定是判断本领域技术人员是否可以获得相应技术启示的基础。确定发明与最接近的现有技术相比所具有的区别技术特征，是确定涉案发明所实际解决的技术问题，进而判断本领域技术人员是否具有相应技术启示的基础。认定权利要求与最接近现有技术之间的区别技术特征，应当以权利要求记载的技术特征为准，而最接近现有技术的认定应当以对比文件公开的技术内容为准，该技术内容不仅包括明确记载在对比文件中的内容，而且包括对于所属技术领域的技术人员来说，隐含的且可直接地、毫无疑义地确定的技术内容。确定发明实际解决的技术问题，通常要在发明相对于最接近的现有技术存在的区别技术特征的基础上，由本领域技术人员在阅读本案专利说明书后，根据该区别技术特征在权利要求请求保护的技术方案中所产生的作用、功能或者技术效果等来确定。判断发明或实用新型对本领域的技术人员来说是否显而易见，要确定的是现有技术整体上是否存在某种技术启示，即现有技术中是否给出将该发明或者实用新型的区别技术特征应用到最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，这种启示会使本领域的技术人员在面对相应的技术问题时，有动机改进最接近的现有技术并获得该发明或者实用新型专利技术。当上述区别技术特征为公知常识或为与最接近的现有技术相关的技术手段，或者为另一份对比文件披露的相关技术手段，且该技术手段在该对比文件中所起的作用与该区别技术特征在要求保护的发明或者实用新型中为解决相关技术问题所起的作用相同，通常可以认定存在相应的技术启示。发明的技术效果是判断创造性的重要因素。如果发明相对于现有技术所产生的技术效果在质或量上发生明显变化，超出了本领域技术人员的合理预期，可以认定发明具有预料不到的技术效果。在认定是否存在预料不到的技术效果时，应当综合考虑发明所属技术领域的特点,尤其是技术效果的可预见性、现有技术中存在的技术启示等因素。商业成功是判断创造性的辅助因素。当发明的产品在商业上获得成功时，如果这种成功是由于其技术特征直接导致的，则一方面反映了该发明具有有益效果，同时也说明了其是非显而易见的，该发明即具有创造性。本案中，本申请权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征在于：（1）第三开关与第二像素电极电性连接，且其中电容耦合部延伸至下一列子像素中的第一像素电极下方并与其重叠，而且还与该下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容；（2）一彩色滤光层，覆盖于该些第一扫描线、该些第二扫描线、该些数据线、该些子像素、所述电容耦合部以及该些共通线；（3）各该子像素还包括一第一电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第一像素电极电性连接，且该第一电容电极与其中一条共通线形成一第一储存电容；以及一第二电容电极，位于该彩色滤光层下方并与该第二像素电极电性连接，且该第二电容电极与其中一条共通线形成一第二储存电容。基于上述区别技术特征，本申请权利要求1的技术方案实际所要解决的技术问题是：（1）利用电容耦合部与该下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容，且电容耦合部也与下一列子像素中的第一像素电极形成电容的方式，来实现同一子像素中第一像素电极和第二像素电极的电压不同；（2）在将彩色滤光层整合于阵列基板上以实现彩色显示时不会带来电压调整电容在制作上的困难；（3）保持各子像素中第一像素电极和第二像素电极的电压。对于上述区别技术特征（1），根据本申请权利要求书的记载，子像素区域由第二扫描线及数据线定义，子像素排列成多列，且排列于同一列的子像素与同一条第一扫描线以及同一条第二扫描线电性连接。可见，“列”的概念是针对子像素区域而言的，在本申请中两第二扫描线之间为一列。根据本申请权利要求书的记载，还可以明确一个子像素包括第一开关、第二开关、第三开关、第一像素电极、第二像素电极。而在对比文件2中，其图1-11所示的实施例仅公开了第三开关漏极D3与充电共享电容连接，没有公开第三开关漏极D3延伸到下一列像素中的子像素电极下方并与之重叠形成电容；在图12-20所示的实施例中，第三开关漏极D3延伸到本列像素的子像素电极下方，亦未延伸到下一列像素中的第一子像素电极下方。专利复审委员会主张其认定对比文件2第三开关漏极D3延伸到下一列的主要依据是说明书第11页第4段记载的示例性实施例，但该示例性实施例的方案是通过将第三开关的漏极与第一开关的第一子像素电极重叠来形成额外的电荷共享电容。由于第三开关与第一开关同为一个子像素的组成部分，如果对应本申请的技术方案，应视为同一列中的组成部分。因此，对比文件2的附图和说明书中的文字说明均未公开第三开关的漏极D3延伸到下一列子像素中，且根据说明书的记载，本领域技术人员可明确获知第三开关的漏极是与本列中的第一子像素电极重叠来形成额外的电荷共享电容。专利复审委员会认为在图1-11的基础上为形成额外的充电共享电容，第三开关的漏极D3必然会继续延伸到下一列像素中的第一子像素电极下方并与之重叠，缺乏事实依据。因此，对比文件2未公开第三开关的电容耦合部延伸至下一列子像素中的第一像素电极下方并与其重叠，而且还与该下一列子像素中的共通线形成一电压调整电容这一特征。此外，虽然友达公司自答复第二次审查意见通知书起至答复复审通知书前均未对区别技术特征（1）被对比文件2公开提出异议，但其相关陈述均非对权利要求的保护范围作出的限缩性修改或陈述，故不属于禁止反悔原则所规制的情形，不能据此就认定区别技术特征（1）已经被对比文件2公开。因此，原审法院认定专利复审委员会在错误认定对比文件2公开内容的基础上，仅以对比文件1、2、3的组合认定本申请权利要求1不具备创造性的依据不足，并无不当。在此基础上，专利复审委员会对本申请其他权利要求不具备创造性的认定亦缺乏依据。专利复审委员会有关本申请不具有创造性的上诉理由依据不足，本院不予支持。综上，专利复审委员会的上诉主张均缺乏事实及法律依据，其上诉请求本院不予支持。原审判决认定事实清楚，适用法律正确，依法应予维持。依据《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下：驳回上诉，维持原判。一审案件受理费人民币一百元，由国家知识产权局专利复审委员会负担（于本判决生效之日起七日内交纳）；二审案件受理费人民币一百元，由国家知识产权局专利复审委员会负担（已交纳）。本判决为终审判决。审　判　长　　刘晓军代理审判员　　樊　雪代理审判员　　陈　曦二〇一七年十月二十五日书　记　员　　苗　兰搜索“”